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温度对碳化硅器件封装用有机硅弹性体陷阱特性的影响

孟伟 李学宝 张金强 赵志斌 崔翔 王亮

高电压技术2023，Vol.49Issue(2)：577-587,11.
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高电压技术2023，Vol.49Issue(2)：577-587,11.DOI:10.13336/j.1003-6520.hve.20221334

温度对碳化硅器件封装用有机硅弹性体陷阱特性的影响

Trap Characteristics with Their Temperature-dependence of Silicone Elastomer for Encapsulation in SiC Devices

孟伟 1李学宝 1张金强 1赵志斌 1崔翔 1王亮2

作者信息

  • 1. 华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室,北京102206
  • 2. 北京智慧能源研究院先进输电技术国家重点实验室,北京102209
  • 折叠

摘要

关键词

高压大功率碳化硅器件/高温/有机硅弹性体/陷阱特性/表面电位衰减

引用本文复制引用

孟伟,李学宝,张金强,赵志斌,崔翔,王亮..温度对碳化硅器件封装用有机硅弹性体陷阱特性的影响[J].高电压技术,2023,49(2):577-587,11.

基金项目

国家电网有限公司总部科技项目(碳化硅高压封装绝缘关键技术)(5500-202158438A-0-0-00). （碳化硅高压封装绝缘关键技术）

高电压技术

OA北大核心CSCDCSTPCD

1003-6520

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