电子器件2023，Vol.46Issue(1)：74-78,5.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2023.01.013
考虑弛豫效应的SiC MOSFET阈值电压测量方法研究
Threshold Voltage Measurement Method of SiC MOSFET Considering the Hysteresis Effect
摘要
关键词
SiC MOSFET/阈值电压测量/弛豫效应/预偏置条件分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王臻卓,任婷婷..考虑弛豫效应的SiC MOSFET阈值电压测量方法研究[J].电子器件,2023,46(1):74-78,5.基金项目
河南省科技攻关项目(212102310086) （212102310086）
