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Ge4+取代对BaSnSi3O9陶瓷烧结行为和微波介电性能的优化

杜康 尹长志 杨佳庆 张猛 吕文中 雷文

硅酸盐学报2023，Vol.51Issue(4)：866-871,6.
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硅酸盐学报2023，Vol.51Issue(4)：866-871,6.DOI:10.14062/j.issn.0454-5648.20220461

Ge4+取代对BaSnSi3O9陶瓷烧结行为和微波介电性能的优化

Improved Sintering Behavior and Microwave Dielectric Properties for Ge4+ Doped BaSnSi3O9 Ceramics

杜康 1尹长志 2杨佳庆 1张猛 2吕文中 1雷文2

作者信息

  • 1. 华中科技大学,温州先进制造技术研究院,浙江 温州 325035
  • 2. 华中科技大学光学与电子信息学院,武汉 430074
  • 折叠

摘要

关键词

陶瓷/烧结行为/晶体结构参数/微波介电性能

分类

化学化工

引用本文复制引用

杜康,尹长志,杨佳庆,张猛,吕文中,雷文..Ge4+取代对BaSnSi3O9陶瓷烧结行为和微波介电性能的优化[J].硅酸盐学报,2023,51(4):866-871,6.

基金项目

国家自然科学基金面上项目(52072133) （52072133）

广东省重点领域研发计划资助(2020B010176001). （2020B010176001）

硅酸盐学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0454-5648

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