人工晶体学报2023，Vol.52Issue(3)：428-435,8.
Au掺杂Hg3In2Te6成键机制与电子性质的第一性原理研究
First-Principles Study on Bonding Mechanism and Electronic Properties of Au Doped Hg3In2Te6
高求 1罗燕 1罗江波 1刘米丰 1杨榛 1赵涛 1傅莉2
作者信息
- 1. 上海航天电子技术研究所,上海 201109
- 2. 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安 710072
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摘要
关键词
MIT/掺杂/结构弛豫/自我补偿效应/杂质能级/第一性原理分类
数理科学引用本文复制引用
高求,罗燕,罗江波,刘米丰,杨榛,赵涛,傅莉..Au掺杂Hg3In2Te6成键机制与电子性质的第一性原理研究[J].人工晶体学报,2023,52(3):428-435,8.
