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GaN单晶的HVPE生长与掺杂进展

齐占国 刘磊 王守志 王国栋 俞娇仙 王忠新 段秀兰 徐现刚 张雷

无机材料学报2023，Vol.38Issue(3)：243-255,13.
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无机材料学报2023，Vol.38Issue(3)：243-255,13.DOI:10.15541/jim20220607

GaN单晶的HVPE生长与掺杂进展

Progress in GaN Single Crystals: HVPE Growth and Doping

齐占国 1刘磊 1王守志 1王国栋 1俞娇仙 2王忠新 1段秀兰 1徐现刚 1张雷1

作者信息

  • 1. 山东大学 新一代半导体材料研究院, 晶体材料国家重点实验室, 济南 250100
  • 2. 齐鲁工业大学(山东省科学院) 材料科学与工程学院, 济南 250353
  • 折叠

摘要

关键词

氮化镓/氢化物气相外延/掺杂/晶体生长/综述

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

齐占国,刘磊,王守志,王国栋,俞娇仙,王忠新,段秀兰,徐现刚,张雷..GaN单晶的HVPE生长与掺杂进展[J].无机材料学报,2023,38(3):243-255,13.

基金项目

国家自然科学基金(51872164,52202265) （51872164,52202265）

无机材料学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-324X

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