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基于65 nm CMOS工艺的小型化高增益低噪声放大器设计

郭庆 陈雨庭 段宗明 吴先良

电子学报2023,Vol.51Issue(3):593-600,8.
电子学报2023,Vol.51Issue(3):593-600,8.DOI:10.12263/DZXB.20211116

基于65 nm CMOS工艺的小型化高增益低噪声放大器设计

Design of Miniaturized High-Gain Low Noise Amplifier Based on 65 nm CMOS Process

郭庆 1陈雨庭 1段宗明 2吴先良1

作者信息

  • 1. 安徽大学电子信息工程学院, 安徽合肥 230000
  • 2. 中国电子科技集团第三十八研究所,安徽合肥 230000
  • 折叠

摘要

关键词

CMOS/低噪声放大器/共源/变压器/中和电容

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

郭庆,陈雨庭,段宗明,吴先良..基于65 nm CMOS工艺的小型化高增益低噪声放大器设计[J].电子学报,2023,51(3):593-600,8.

基金项目

国家自然科学基金(No.61871001,No.61971001) (No.61871001,No.61971001)

电子学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0372-2112

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