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基于SiC MOSFET三电平Buck变换器电压尖峰抑制研究

于越 李蔚 张泽 黄权威 彭霞

电源学报2023,Vol.21Issue(2):1-11,11.
电源学报2023,Vol.21Issue(2):1-11,11.DOI:10.13234/j.issn.2095-2805.2023.2.1

基于SiC MOSFET三电平Buck变换器电压尖峰抑制研究

Research on Voltage Spike Suppression of Three-level Buck Converter Based on SiC MOSFET

于越 1李蔚 1张泽 1黄权威 1彭霞1

作者信息

  • 1. 中南大学交通运输工程学院,长沙 410075
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摘要

关键词

SiC MOSFET/三电平Buck变换器/电路寄生参数/电压尖峰抑制/低损耗型RCD吸收电路

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

于越,李蔚,张泽,黄权威,彭霞..基于SiC MOSFET三电平Buck变换器电压尖峰抑制研究[J].电源学报,2023,21(2):1-11,11.

基金项目

国家重点研发计划资助项目(2016YFB1200602-34) (2016YFB1200602-34)

电源学报

OA北大核心CSCD

2095-2805

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