吉首大学学报（自然科学版）2023，Vol.44Issue(1)：14-23,52,11.DOI:10.13438/j.cnki.jdzk.2023.01.003
Se与Te替位掺杂对WS2-MoS2纳米器件电子输运性质的影响
Effect of Se and Te Substitution Doping on Electronic Transport Properties of WS2-MoS2 Nanodevices
摘要
关键词
纳米器件/半导体/电子输运/调控/负微分电阻效应分类
数理科学引用本文复制引用
林丽娥,廖文虎..Se与Te替位掺杂对WS2-MoS2纳米器件电子输运性质的影响[J].吉首大学学报（自然科学版）,2023,44(1):14-23,52,11.基金项目
国家自然科学基金资助项目(11264013) （11264013）
湖南省自然科学基金面上项目(2021JJ30549) （2021JJ30549）
湖南省教育厅重点项目(18A293) （18A293）
吉首大学研究生科研项目(JDY20031,JGY202108) （JDY20031,JGY202108）
