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应变和电场对Ga2SeTe/In2Se3异质结电子结构和光学性质的影响

孙婷钰吴量何贤娟姜楠周文哲欧阳方平

物理学报2023，Vol.72Issue(7)：328-338,11.

物理学报2023，Vol.72Issue(7)：328-338,11.DOI:10.7498/aps.72.20222250

Effect of strain and electric field on electronic structure and optical properties of Ga2SeTe/In2Se3 heterojunction

孙婷钰 ¹吴量 ¹何贤娟 ¹姜楠 ¹周文哲 ¹欧阳方平²

作者信息

1. 中南大学物理与电子学院,超微结构与超快过程湖南省重点实验室,纳米光子学与器件湖南省重点实验室,长沙 410083
2. 中南大学物理与电子学院,超微结构与超快过程湖南省重点实验室,纳米光子学与器件湖南省重点实验室,长沙 410083||新疆大学物理与技术学院,碳基能源化学与利用国家重点实验室,乌鲁木齐 830046||中南大学粉末冶金研究院,粉末冶金国家重点实验室,长沙 410083
折叠

Janus单层/范德瓦耳斯异质结/光电特性/第一性原理

孙婷钰,吴量,何贤娟,姜楠,周文哲,欧阳方平..应变和电场对Ga2SeTe/In2Se3异质结电子结构和光学性质的影响[J].物理学报,2023,72(7):328-338,11.

国家自然科学基金(批准号:52073308,12164046)、湖南省杰出青年学者基金(批准号:2015JJ1020)和新疆维吾尔族自治区天池特聘教授基金资助的课题. （批准号:52073308,12164046）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1000-3290

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