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AlGaN/GaN HEMTs器件中子辐照效应实验和数值模拟研究

陈泉佑 赵景涛 朱小锋 许献国 熊涔 赵洪超

现代应用物理2023,Vol.14Issue(1):164-172,199,10.
现代应用物理2023,Vol.14Issue(1):164-172,199,10.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2023.010604

AlGaN/GaN HEMTs器件中子辐照效应实验和数值模拟研究

Experimental Study and Numerical Simulation of Neutron Irradiation Effects on AlGaN/GaN HEMTs

陈泉佑 1赵景涛 2朱小锋 1许献国 1熊涔 1赵洪超1

作者信息

  • 1. 中国工程物理研究院电子工程研究所
  • 2. 中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川绵阳621999
  • 折叠

摘要

关键词

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管/中子辐照/实验/数值模拟/陷阱

分类

能源科技

引用本文复制引用

陈泉佑,赵景涛,朱小锋,许献国,熊涔,赵洪超..AlGaN/GaN HEMTs器件中子辐照效应实验和数值模拟研究[J].现代应用物理,2023,14(1):164-172,199,10.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(11705172 ()

61701461) ()

现代应用物理

OACSTPCD

2095-6223

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