现代应用物理2023，Vol.14Issue(1)：194-199,6.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2023.010802
In掺杂GaAs材料体系电子结构第一性原理研究
Electronic Structure of In-doped GaAs Material System by Employing First-Principles Calculations
摘要
关键词
第一性原理/半导体掺杂/电子结构/模拟计算分类
数理科学引用本文复制引用
王兴鸿,晏石兴,李传洲,蔡星会,王祖军,熊庆,王冰,黄港,聂栩,赖善坤,唐宁..In掺杂GaAs材料体系电子结构第一性原理研究[J].现代应用物理,2023,14(1):194-199,6.基金项目
国家自然科学基金资助项目(U2167208 （）
11875223) （）
强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室基金资助项目(SKLIPR1803 （）
SKLIPR2012 （）
SKLIPR2113) （）
