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基于换流–短路双回路解耦的SiC MOSFET功率器件抗短路封装构型设计

罗皓泽 高洪艺 朱安康 金昱廷 李武华 何湘宁

中国电机工程学报2023,Vol.43Issue(7):2781-2789,26,10.
中国电机工程学报2023,Vol.43Issue(7):2781-2789,26,10.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.221156

基于换流–短路双回路解耦的SiC MOSFET功率器件抗短路封装构型设计

Anti-short-circuit Packaging Structure of SiC MOSFET Power Device With Commutation-short Circuit Path Decoupling

罗皓泽 1高洪艺 1朱安康 1金昱廷 1李武华 1何湘宁1

作者信息

  • 1. 浙江大学电气工程学院,浙江省杭州市 310027
  • 折叠

摘要

关键词

换流–短路路径解耦/短路电感/短路抑制

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

罗皓泽,高洪艺,朱安康,金昱廷,李武华,何湘宁..基于换流–短路双回路解耦的SiC MOSFET功率器件抗短路封装构型设计[J].中国电机工程学报,2023,43(7):2781-2789,26,10.

基金项目

国家自然科学基金青年科学基金项目(52107211) (52107211)

国家自然科学基金杰出青年科学基金项目(51925702) (51925702)

浙江省"尖兵""领雁"研发攻关计划(2022C01094). (2022C01094)

中国电机工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0258-8013

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