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能级构型对InAs/GaAs量子点电磁感应透明介质中光孤子存储的影响

王胤 周驷杰 陈桥 邓永和

物理学报2023,Vol.72Issue(8):P.157-168,12.
物理学报2023,Vol.72Issue(8):P.157-168,12.DOI:10.7498/aps.72.20221965

能级构型对InAs/GaAs量子点电磁感应透明介质中光孤子存储的影响

王胤 1周驷杰 2陈桥 1邓永和1

作者信息

  • 1. 湖南工程学院计算科学与电子学院,湘潭411104
  • 2. 湘潭大学物理与光电工程学院,湘潭411105
  • 折叠

摘要

关键词

电磁诱导透明/光孤子的存储与读取/半导体量子点

分类

数理科学

引用本文复制引用

王胤,周驷杰,陈桥,邓永和..能级构型对InAs/GaAs量子点电磁感应透明介质中光孤子存储的影响[J].物理学报,2023,72(8):P.157-168,12.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:11832016) (批准号:11832016)

湖南省自然科学基金(批准号:2020JJ4240,2022JJ50115) (批准号:2020JJ4240,2022JJ50115)

湖南工程学院博士启动基金(批准号:22RC018)资助的课题. (批准号:22RC018)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-3290

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