真空电子技术Issue(2):P.45-50,6.DOI:10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2023.02.07
基于T型阳极场板下梯度掺杂的多通道AlGaN/GaN肖特基二极管的研究
李洪亮 1王策 1黄卡玛1
作者信息
- 1. 四川大学电子信息学院,四川成都610065
- 折叠
摘要
关键词
AlGaN/GaN/导通电阻/击穿电压/掺杂/肖特基二极管分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李洪亮,王策,黄卡玛..基于T型阳极场板下梯度掺杂的多通道AlGaN/GaN肖特基二极管的研究[J].真空电子技术,2023,(2):P.45-50,6.