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基于T型阳极场板下梯度掺杂的多通道AlGaN/GaN肖特基二极管的研究

李洪亮 王策 黄卡玛

真空电子技术Issue(2):P.45-50,6.
真空电子技术Issue(2):P.45-50,6.DOI:10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2023.02.07

基于T型阳极场板下梯度掺杂的多通道AlGaN/GaN肖特基二极管的研究

李洪亮 1王策 1黄卡玛1

作者信息

  • 1. 四川大学电子信息学院,四川成都610065
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摘要

关键词

AlGaN/GaN/导通电阻/击穿电压/掺杂/肖特基二极管

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李洪亮,王策,黄卡玛..基于T型阳极场板下梯度掺杂的多通道AlGaN/GaN肖特基二极管的研究[J].真空电子技术,2023,(2):P.45-50,6.

真空电子技术

1002-8935

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