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高温SiC器件及其集成电路在空间电子领域应用展望

贺永宁 赵小龙 崔万照

空间电子技术2023，Vol.20Issue(2)：1-7,7.
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空间电子技术2023，Vol.20Issue(2)：1-7,7.DOI:10.3969/j.issn.1674-7135.2023.02.001

高温SiC器件及其集成电路在空间电子领域应用展望

Application prospect of high-temperature silicon carbide devices and integrated circuits in space electronics

贺永宁 1赵小龙 1崔万照2

作者信息

  • 1. 西安交通大学 电子与信息学部微电子学院 西安市微纳电子与系统集成重点实验室,西安 710049
  • 2. 中国空间技术研究院西安分院 空间微波技术重点实验室,西安 710000
  • 折叠

摘要

关键词

极端环境电子学/SiC宽禁带半导体/高温集成电路/深空探索

分类

信息技术与安全科学

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贺永宁,赵小龙,崔万照..高温SiC器件及其集成电路在空间电子领域应用展望[J].空间电子技术,2023,20(2):1-7,7.

基金项目

国家科技部重点研发计划项目(编号:2020YFB0407800) （编号:2020YFB0407800）

国家自然科学基金项目(编号:62004158)感谢国家科技部重点研发计划项目(编号:2020YFB0407800)和国家自然科学基金项目(编号:62004158)的资助. （编号:62004158）

空间电子技术

1674-7135

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