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10 W级主控振荡放大半导体激光芯片封装实验研究

谢鹏飞 雷军 张永刚 王丞乾 吕文强 王昭 杜维川 高松信

强激光与粒子束2023,Vol.35Issue(5):1-5,5.
强激光与粒子束2023,Vol.35Issue(5):1-5,5.DOI:10.11884/HPLPB202335.220235

10 W级主控振荡放大半导体激光芯片封装实验研究

Study of packaging in master oscillator power amplifier diode laser chip

谢鹏飞 1雷军 1张永刚 1王丞乾 1吕文强 1王昭 1杜维川 1高松信1

作者信息

  • 1. 中国工程物理研究院 高能激光科学与技术重点实验室,四川 绵阳 621900||中国工程物理研究院 应用电子学研究所,四川 绵阳 621900
  • 折叠

摘要

关键词

锥形半导体激光器/热设计/封装结构/热沉

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

谢鹏飞,雷军,张永刚,王丞乾,吕文强,王昭,杜维川,高松信..10 W级主控振荡放大半导体激光芯片封装实验研究[J].强激光与粒子束,2023,35(5):1-5,5.

强激光与粒子束

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-4322

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