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铜箔的不同放置方式导致CVD法生长石墨烯的质量差别

张文卿 马瑜 付金良 杨军 沈晗睿

材料科学与工程学报2023,Vol.41Issue(2):216-221,329,7.
材料科学与工程学报2023,Vol.41Issue(2):216-221,329,7.DOI:10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2023.02.008

铜箔的不同放置方式导致CVD法生长石墨烯的质量差别

The Placement of Copper Foil Results in the Quality Difference of Graphene Grown by CVD Method

张文卿 1马瑜 1付金良 1杨军 1沈晗睿1

作者信息

  • 1. 上海新池能源科技有限公司合金项目部, 上海 201800
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摘要

关键词

铜箔/石墨烯/化学气相沉积法/放置方式/电学性能

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

张文卿,马瑜,付金良,杨军,沈晗睿..铜箔的不同放置方式导致CVD法生长石墨烯的质量差别[J].材料科学与工程学报,2023,41(2):216-221,329,7.

基金项目

上海市科学技术委员会创新行动计划资助项目(19511107800) (19511107800)

材料科学与工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1673-2812

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