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基于InP DHBT工艺的33～170GHz共源共栅放大器

王伯武于伟华侯彦飞余芹孙岩程伟周明

红外与毫米波学报2023，Vol.42Issue(2)：197-200,4.

红外与毫米波学报2023，Vol.42Issue(2)：197-200,4.DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2023.02.008

基于InP DHBT工艺的33～170GHz共源共栅放大器

A 33～170 GHz cascode amplifier based on InP DHBT technology

王伯武 ¹于伟华 ²侯彦飞 ³余芹 ¹孙岩 ⁴程伟 ⁴周明⁴

作者信息

1. 北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室,北京 100081
2. 北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室,北京 100081||北京理工大学重庆微电子研究院,重庆 400031
3. 北京无线电测量研究所,北京 100039
4. 南京电子器件研究所单片集成电路与模块实验室,江苏南京 210016
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摘要

Abstract

In this paper, a wide band cascode power amplifier working at 33～170 GHz is designed, based on the 500 nm InP dual-heterojunction bipolar transistor (DHBT) process. Two pairs of parallel input and output stub lines can effectively expand the working bandwidth. The output coupling line compensates the high frequency transmission. The measured results show that the maximum gain of the amplifier is 11. 98 dB at 115 GHz, the rel? ative bandwidth is 134. 98 ％, the gain flatness is ±2 dB, the gain is better than 10 dB and the output power is bet? ter than 1 dBm in the operating bandwidth.

关键词

磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT)/单片微波集成电路(MMIC)/共源共栅放大器/宽带

Key words

InP dual-heterojunction bipolar transistor (InP DHBT)/monolithic microwave integrated circuit (MMIC)/cascode amplifiers/wide band

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王伯武,于伟华,侯彦飞,余芹,孙岩,程伟,周明..基于InP DHBT工艺的33～170GHz共源共栅放大器[J].红外与毫米波学报,2023,42(2):197-200,4.

基金项目

Supported by National Natural Science Foundation of China(61771057) （61771057）

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1001-9014

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