人工晶体学报2023，Vol.52Issue(4)：550-561,12.
大尺寸碳化硅晶体生长热-质输运过程建模及数值仿真
Modeling and Numerical Simulation of Heat-Mass Transport Process for Large-Size Silicon Carbide Crystal Growth
卢嘉铮 1张辉 2郑丽丽 1马远3
作者信息
- 1. 清华大学航天航空学院,北京 100084
- 2. 清华大学工程物理系,北京 100084
- 3. 中电化合物半导体有限公司,宁波 315336
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摘要
关键词
SiC单晶/单晶生长/热-质输运/数学模型/电阻加热/物理气相传输分类
数理科学引用本文复制引用
卢嘉铮,张辉,郑丽丽,马远..大尺寸碳化硅晶体生长热-质输运过程建模及数值仿真[J].人工晶体学报,2023,52(4):550-561,12.
