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高应变InGaAs/GaAs多量子阱中的局域态问题

王曲惠 王海珠 王骄 马晓辉

发光学报2023,Vol.44Issue(4):627-633,7.
发光学报2023,Vol.44Issue(4):627-633,7.DOI:10.37188/CJL.20220375

高应变InGaAs/GaAs多量子阱中的局域态问题

Localized States of High-strain InGaAs/GaAs Multiple Quantum Wells

王曲惠 1王海珠 1王骄 1马晓辉1

作者信息

  • 1. 长春理工大学 高功率半导体国家重点实验室, 吉林 长春 130022||长春理工大学 重庆研究院, 重庆 401135
  • 折叠

摘要

关键词

InGaAs/GaAs多量子阱/局域态/高应变/金属有机化合物气相外延(MOCVD)

分类

数理科学

引用本文复制引用

王曲惠,王海珠,王骄,马晓辉..高应变InGaAs/GaAs多量子阱中的局域态问题[J].发光学报,2023,44(4):627-633,7.

基金项目

吉林省科技发展计划(20210201089GX) (20210201089GX)

重庆市自然科学基金(cstc2021jcyj?msxmX1060) (cstc2021jcyj?msxmX1060)

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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