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高压大功率IGBT失效机理和耐高温改性有机硅灌封材料研究综述

王争东 罗盟 成永红

高电压技术2023,Vol.49Issue(4):1632-1644,13.
高电压技术2023,Vol.49Issue(4):1632-1644,13.DOI:10.13336/j.1003-6520.hve.20221925

高压大功率IGBT失效机理和耐高温改性有机硅灌封材料研究综述

Review of Research on Failure Mechanism of High Voltage and High Power IGBT and Modi-fied Silicone Potting Materials with High Temperature Resistance

王争东 1罗盟 1成永红2

作者信息

  • 1. 西安建筑科技大学机电工程学院,西安710055
  • 2. 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安710049
  • 折叠

摘要

关键词

IGBT/绝缘封装/失效机理/耐高温/有机硅

引用本文复制引用

王争东,罗盟,成永红..高压大功率IGBT失效机理和耐高温改性有机硅灌封材料研究综述[J].高电压技术,2023,49(4):1632-1644,13.

基金项目

电力设备电气绝缘国家重点实验室开放课题(EIPE22210) (EIPE22210)

陕西省科技厅青年基金(2022JQ-300). (2022JQ-300)

高电压技术

OA北大核心CSCDCSTPCD

1003-6520

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