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氧化物双介质层忆阻器的设计及应用

游钧淇 李策 杨栋梁 孙林锋

无机材料学报2023，Vol.38Issue(4)：387-398,12.
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无机材料学报2023，Vol.38Issue(4)：387-398,12.DOI:10.15541/jim20220760

氧化物双介质层忆阻器的设计及应用

Double Dielectric Layer Metal-oxide Memristor:Design and Applications

游钧淇 1李策 1杨栋梁 1孙林锋2

作者信息

  • 1. 北京理工大学 物理学院,先进光电量子结构设计与测量教育部重点实验室,北京 100081
  • 2. 北京理工大学 物理学院,先进光电量子结构设计与测量教育部重点实验室,北京 100081||北京理工大学长三角研究院,嘉兴 314019
  • 折叠

摘要

关键词

忆阻器/突触/神经元/神经形态计算/双介质层金属氧化物/综述

分类

化学化工

引用本文复制引用

游钧淇,李策,杨栋梁,孙林锋..氧化物双介质层忆阻器的设计及应用[J].无机材料学报,2023,38(4):387-398,12.

基金项目

北京市自然科学基金重点专题项目(Z210006) （Z210006）

国家自然科学基金(12104051) （12104051）

无机材料学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-324X

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