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本征可拉伸阈值型忆阻器及其神经元仿生特性

田雨 朱小健 孙翠 叶晓羽 刘慧媛 李润伟

无机材料学报2023,Vol.38Issue(4):413-420,8.
无机材料学报2023,Vol.38Issue(4):413-420,8.DOI:10.15541/jim20220712

本征可拉伸阈值型忆阻器及其神经元仿生特性

Intrinsically Stretchable Threshold Switching Memristor for Artificial Neuron Implementations

田雨 1朱小健 2孙翠 2叶晓羽 2刘慧媛 2李润伟2

作者信息

  • 1. 宁波大学 材料科学与化学工程学院,宁波 315211||中国科学院 宁波材料技术与工程研究所,宁波 315201
  • 2. 中国科学院 宁波材料技术与工程研究所,宁波 315201
  • 折叠

摘要

关键词

神经形态计算/忆阻器/阈值开关/可拉伸/人工神经元

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

田雨,朱小健,孙翠,叶晓羽,刘慧媛,李润伟..本征可拉伸阈值型忆阻器及其神经元仿生特性[J].无机材料学报,2023,38(4):413-420,8.

基金项目

国家自然科学基金(62174164,61974179,92064011) (62174164,61974179,92064011)

宁波市自然科学基金(202003N4029) (202003N4029)

中国科学院科研仪器设备研制项目(YJKYYQ20200030) (YJKYYQ20200030)

中国科学院对外合作重点项目(174433KYSB20190038) (174433KYSB20190038)

无机材料学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-324X

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