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氧化铁忆阻器中缺陷态诱导的模拟型阻变及突触双脉冲易化特性

王彤宇 冉皓丰 周广东

无机材料学报2023，Vol.38Issue(4)：437-444,8.
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无机材料学报2023，Vol.38Issue(4)：437-444,8.DOI:10.15541/jim20220721

氧化铁忆阻器中缺陷态诱导的模拟型阻变及突触双脉冲易化特性

Defect-induced Analogue Resistive Switching Behavior in FeOx-based Memristor and Synaptic Paired-pulse Facilitation Feature

王彤宇 1冉皓丰 1周广东2

作者信息

  • 1. 西南大学 人工智能学院,重庆 400715
  • 2. 西南大学 人工智能学院,重庆 400715||西南大学 类脑计算与智能控制重庆市重点实验室,重庆 400715
  • 折叠

摘要

关键词

忆阻器/氧化铁/缺陷态/突触双脉冲易化

分类

化学化工

引用本文复制引用

王彤宇,冉皓丰,周广东..氧化铁忆阻器中缺陷态诱导的模拟型阻变及突触双脉冲易化特性[J].无机材料学报,2023,38(4):437-444,8.

基金项目

中央高校基本科研业务费专项资金(SWU020019) （SWU020019）

国家自然科学基金联合基金(U20A20227) （U20A20227）

重庆市自然科学基金(cstc2020jcyj-msxm X0648) （cstc2020jcyj-msxm X0648）

无机材料学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-324X

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