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基于Al2O3/Chitosan叠层栅介质的双栅IGZO神经形态晶体管

王靖瑜 万昌锦 万青

无机材料学报2023，Vol.38Issue(4)：445-451,7.
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无机材料学报2023，Vol.38Issue(4)：445-451,7.DOI:10.15541/jim20220767

基于Al2O3/Chitosan叠层栅介质的双栅IGZO神经形态晶体管

Dual-gate IGZO-based Neuromorphic Transistors with Stacked Al2O3/Chitosan Gate Dielectrics

王靖瑜 1万昌锦 1万青2

作者信息

  • 1. 南京大学 电子科学与工程学院,南京 210093
  • 2. 南京大学 电子科学与工程学院,南京 210093||浙江大学 微纳电子学院,杭州 310027
  • 折叠

摘要

关键词

神经形态器件/IGZO晶体管/人造突触/叠层栅介质/高k栅介质/突触可塑性

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王靖瑜,万昌锦,万青..基于Al2O3/Chitosan叠层栅介质的双栅IGZO神经形态晶体管[J].无机材料学报,2023,38(4):445-451,7.

基金项目

国家重点研发计划(2019YFB2205400) （2019YFB2205400）

国家自然科学基金(62074075,61834001) （62074075,61834001）

无机材料学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-324X

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