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多晶金刚石对硅基氮化镓材料的影响

刘庆彬 蔚翠 郭建超 马孟宇 何泽召 周闯杰 高学栋 余浩 冯志红

物理学报2023,Vol.72Issue(9):314-321,8.
物理学报2023,Vol.72Issue(9):314-321,8.DOI:10.7498/aps.72.20221942

多晶金刚石对硅基氮化镓材料的影响

Influence of polycrystalline diamond on silicon-based GaN material

刘庆彬 1蔚翠 1郭建超 1马孟宇 1何泽召 1周闯杰 1高学栋 1余浩 1冯志红1

作者信息

  • 1. 河北半导体研究所,固态微波器件与电路全国重点实验室,石家庄 050051
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摘要

关键词

多晶金刚石/氮化镓/微波等离子体化学气相沉积法/电性能

引用本文复制引用

刘庆彬,蔚翠,郭建超,马孟宇,何泽召,周闯杰,高学栋,余浩,冯志红..多晶金刚石对硅基氮化镓材料的影响[J].物理学报,2023,72(9):314-321,8.

基金项目

国家重点研发计划(批准号:2018YFE0125900)和国家重点科学技术研究专项(批准号:2009ZYHW0015)资助的课题. (批准号:2018YFE0125900)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-3290

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