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GaN基半导体在改变钙钛矿太阳能电池性能方面的理论分析

朱晓丽郑新和仇鹏卫会云何荧峰刘恒田丰邱洪宇杜梦超彭铭曾

物理学报2023，Vol.72Issue(10)：323-333,11.

物理学报2023，Vol.72Issue(10)：323-333,11.DOI:10.7498/aps.72.20230100

Theoretical analysis of GaN-based semiconductor in changing performanc of perovskite solar cell

朱晓丽 ¹郑新和 ¹仇鹏 ¹卫会云 ¹何荧峰 ¹刘恒 ¹田丰 ¹邱洪宇 ¹杜梦超 ¹彭铭曾¹

作者信息

GaN/钙钛矿电池/开路电压

朱晓丽,郑新和,仇鹏,卫会云,何荧峰,刘恒,田丰,邱洪宇,杜梦超,彭铭曾..GaN基半导体在改变钙钛矿太阳能电池性能方面的理论分析[J].物理学报,2023,72(10):323-333,11.

国家重点研发计划(批准号:2018YFA0703700)、国家自然科学基金(批准号:52002021)和中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:FRF-IDRY-20-037)资助的课题. （批准号:2018YFA0703700）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1000-3290

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