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Si衬底上外延生长GaN基射频电子材料的研究进展

杨学林 沈波

人工晶体学报2023，Vol.52Issue(5)：723-731,9.
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人工晶体学报2023，Vol.52Issue(5)：723-731,9.

Si衬底上外延生长GaN基射频电子材料的研究进展

Epitaxial Growth of GaN Based RF Electronic Materials on Si Substrates

杨学林 1沈波2

作者信息

  • 1. 北京大学宽禁带半导体研究中心,北京 100871||北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871||教育部纳光电子前沿科学中心,北京 100871
  • 2. 北京大学宽禁带半导体研究中心,北京 100871||北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871||教育部纳光电子前沿科学中心,北京 100871||量子物质科学协同创新中心,北京 100871
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摘要

关键词

Si衬底上GaN/金属有机化合物化学气相沉积/应力/位错/射频损耗

分类

数理科学

引用本文复制引用

杨学林,沈波..Si衬底上外延生长GaN基射频电子材料的研究进展[J].人工晶体学报,2023,52(5):723-731,9.

基金项目

国家重点研发计划(2021YFB3602400,2022YFB3604400) （2021YFB3602400,2022YFB3604400）

国家自然科学基金(62234002,61927806) （62234002,61927806）

广东省重点研发计划(2020B010171002) （2020B010171002）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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