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基于复合势垒的AlGaN/GaN异质结材料的制备与性能研究

彭大青 李忠辉 蔡利康 李传皓 杨乾坤 张东国 罗伟科

人工晶体学报2023,Vol.52Issue(5):746-752,7.
人工晶体学报2023,Vol.52Issue(5):746-752,7.

基于复合势垒的AlGaN/GaN异质结材料的制备与性能研究

Growth and Properties of AlGaN/GaN Heterojunction Material with Coupled Barrier

彭大青 1李忠辉 1蔡利康 2李传皓 1杨乾坤 1张东国 1罗伟科1

作者信息

  • 1. 南京电子器件研究所,南京 210016||微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京 210016||中国电子科技集团有限公司碳基电子重点实验室,南京 210016
  • 2. 南京电子器件研究所,南京 210016
  • 折叠

摘要

关键词

AlGaN/GaN异质结/复合势垒/金属有机物气相沉积/高线性/跨导/二维电子气

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

彭大青,李忠辉,蔡利康,李传皓,杨乾坤,张东国,罗伟科..基于复合势垒的AlGaN/GaN异质结材料的制备与性能研究[J].人工晶体学报,2023,52(5):746-752,7.

基金项目

江苏省重点研发计划(SBE2020020137) (SBE2020020137)

人工晶体学报

OACSTPCD

1000-985X

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