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利用干燥空气改善熔融KOH对单晶碳化硅的腐蚀

孙帅 宋华平 杨军伟 王文军 屈红霞 简基康

人工晶体学报2023，Vol.52Issue(5)：753-758,6.
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人工晶体学报2023，Vol.52Issue(5)：753-758,6.

利用干燥空气改善熔融KOH对单晶碳化硅的腐蚀

Optimization of KOH Etching for Single Crystal SiC by Dry Air

孙帅 1宋华平 2杨军伟 2王文军 3屈红霞 2简基康4

作者信息

  • 1. 广东工业大学物理与光电工程学院,广州 510006||松山湖材料实验室,东莞 523808
  • 2. 松山湖材料实验室,东莞 523808
  • 3. 松山湖材料实验室,东莞 523808||中国科学院物理研究所功能晶体研究与应用中心,北京 100190
  • 4. 广东工业大学物理与光电工程学院,广州 510006
  • 折叠

摘要

关键词

碳化硅/腐蚀/位错/缺陷表征/鼓泡器/腐蚀速率

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

孙帅,宋华平,杨军伟,王文军,屈红霞,简基康..利用干燥空气改善熔融KOH对单晶碳化硅的腐蚀[J].人工晶体学报,2023,52(5):753-758,6.

基金项目

广东省自然科学基金-面上项目(2022A1515012628) （2022A1515012628）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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