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基于聚氨酯垫的4H-SiC单晶衬底研磨性质研究

吴锐文 宋华平 杨军伟 屈红霞 赖晓芳

人工晶体学报2023，Vol.52Issue(5)：759-765,7.
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人工晶体学报2023，Vol.52Issue(5)：759-765,7.

基于聚氨酯垫的4H-SiC单晶衬底研磨性质研究

Grinding Properties of 4H-SiC Single Crystal Substrate Using Polyurethane Pad

吴锐文 1宋华平 2杨军伟 2屈红霞 2赖晓芳3

作者信息

  • 1. 广东工业大学物理与光电工程学院,广州 510006||松山湖材料实验室,东莞 523808
  • 2. 松山湖材料实验室,东莞 523808
  • 3. 广东工业大学物理与光电工程学院,广州 510006
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摘要

关键词

4H-SiC/研磨/聚氨酯垫/表面粗糙度/去除率/金刚石磨料

分类

化学化工

引用本文复制引用

吴锐文,宋华平,杨军伟,屈红霞,赖晓芳..基于聚氨酯垫的4H-SiC单晶衬底研磨性质研究[J].人工晶体学报,2023,52(5):759-765,7.

基金项目

广东省自然科学基金面上项目(2022A1515012628) （2022A1515012628）

人工晶体学报

OACSTPCD

1000-985X

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