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MOCVD外延生长InN薄膜及其光学性质研究

殷鑫燕 陈鹏 梁子彤 赵红

人工晶体学报2023,Vol.52Issue(5):791-797,7.
人工晶体学报2023,Vol.52Issue(5):791-797,7.

MOCVD外延生长InN薄膜及其光学性质研究

Epitaxial Growth and Optical Properties of InN film by MOCVD

殷鑫燕 1陈鹏 1梁子彤 1赵红1

作者信息

  • 1. 南京大学电子科学与工程学院,江苏省光电功能材料重点实验室,南京 210023
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摘要

关键词

InN/MOCVD/外延生长/应变/表面缺陷/光学性质/光致发光

分类

数理科学

引用本文复制引用

殷鑫燕,陈鹏,梁子彤,赵红..MOCVD外延生长InN薄膜及其光学性质研究[J].人工晶体学报,2023,52(5):791-797,7.

基金项目

国家自然科学基金(12074182) (12074182)

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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