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高成品率和平整度的GaN基Micro LED芯片激光剥离工艺的研究

岳龙 徐俞 王建峰 徐科

人工晶体学报2023，Vol.52Issue(5)：805-811,7.
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人工晶体学报2023，Vol.52Issue(5)：805-811,7.

高成品率和平整度的GaN基Micro LED芯片激光剥离工艺的研究

Laser Lift-Off Process of GaN-Based Micro LED Chip with High Yield and Flatness

岳龙 1徐俞 2王建峰 3徐科3

作者信息

  • 1. 中国科学技术大学纳米科学技术学院,苏州 215123||中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123
  • 2. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123||苏州纳维科技有限公司,苏州 215000
  • 3. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123||苏州纳维科技有限公司,苏州 215000||沈阳材料科学国家研究中心,沈阳 110010
  • 折叠

摘要

关键词

GaN/微型发光二极管/激光剥离/准分子激光器/成品率/平整度

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

岳龙,徐俞,王建峰,徐科..高成品率和平整度的GaN基Micro LED芯片激光剥离工艺的研究[J].人工晶体学报,2023,52(5):805-811,7.

基金项目

国家自然科学基金面上项目(62174173) （62174173）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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