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六方氮化硼外延生长研究进展

王高凯 张兴旺

人工晶体学报2023,Vol.52Issue(5):825-841,17.
人工晶体学报2023,Vol.52Issue(5):825-841,17.

六方氮化硼外延生长研究进展

Research Progress of Epitaxial Growth of Hexagonal Boron Nitride

王高凯 1张兴旺1

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京 100083||中国科学院大学,材料与光电研究中心,北京 100049
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摘要

关键词

六方氮化硼/外延生长/薄膜/二维材料/宽禁带半导体

分类

数理科学

引用本文复制引用

王高凯,张兴旺..六方氮化硼外延生长研究进展[J].人工晶体学报,2023,52(5):825-841,17.

基金项目

国家自然科学基金(61874106) (61874106)

中国科学院战略性先导科技专项(XDB43000000) (XDB43000000)

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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