|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|人工晶体学报|退火方式及温度对层层碘化法CuI薄膜结构、形貌和光电性能的影响

退火方式及温度对层层碘化法CuI薄膜结构、形貌和光电性能的影响

耿方娟 杨磊 朱嘉琦

人工晶体学报2023，Vol.52Issue(5)：842-848,7.
✕
人工晶体学报2023，Vol.52Issue(5)：842-848,7.

退火方式及温度对层层碘化法CuI薄膜结构、形貌和光电性能的影响

Effect of Annealing Method and Temperature on Structure,Morphology and Photoelectric Properties of CuI Thin Films by Layer by Layer Iodization

耿方娟 1杨磊 2朱嘉琦1

作者信息

  • 1. 哈尔滨工业大学航天学院,复合材料与结构研究所,哈尔滨 150080
  • 2. 哈尔滨工业大学分析测试中心,哈尔滨 150001
  • 折叠

摘要

关键词

p型/CuI/后退火/层层退火/透过率/电学性能/光电性能

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

耿方娟,杨磊,朱嘉琦..退火方式及温度对层层碘化法CuI薄膜结构、形貌和光电性能的影响[J].人工晶体学报,2023,52(5):842-848,7.

基金项目

国家自然科学基金(52032004) （52032004）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文