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石墨烯上异质远程外延GaN的研究

徐建喜 王钰宁 徐俞 王建峰 徐科

人工晶体学报2023，Vol.52Issue(5)：894-900,7.
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人工晶体学报2023，Vol.52Issue(5)：894-900,7.

石墨烯上异质远程外延GaN的研究

Mechanism of Remote Heteroepitaxial GaN Growth on Graphene

徐建喜 1王钰宁 2徐俞 3王建峰 4徐科4

作者信息

  • 1. 中国科学技术大学纳米科学技术学院,苏州 215123||中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123
  • 2. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123
  • 3. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123||苏州纳维科技有限公司,苏州 215000
  • 4. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123||苏州纳维科技有限公司,苏州 215000||沈阳材料科学国家研究中心,沈阳 110010
  • 折叠

摘要

关键词

GaN/石墨烯/MOCVD/异质远程外延/表面粗糙度/位错密度

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

徐建喜,王钰宁,徐俞,王建峰,徐科..石墨烯上异质远程外延GaN的研究[J].人工晶体学报,2023,52(5):894-900,7.

基金项目

国家自然科学基金面上项目(62174173) （62174173）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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