人工晶体学报2023，Vol.52Issue(5)：918-924,7.
高速旋转垂直热壁CVD外延生长n型4H-SiC膜的研究
Epitaxial Growth Study of n-Type 4H-SiC Films by High-Speed Wafer Rotation Vertical Hot-Wall CVD Equipment
摘要
关键词
碳化硅/外延/化学气相沉积/CVD设备/厚度均匀性/掺杂浓度均匀性分类
数理科学引用本文复制引用
韩跃斌,蒲勇,施建新,闫鸿磊..高速旋转垂直热壁CVD外延生长n型4H-SiC膜的研究[J].人工晶体学报,2023,52(5):918-924,7.基金项目
江苏省重大科技成果转化项目(BA2022082) （BA2022082）
