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940 nm垂直腔面发射激光器单管器件的设计与制备

潘智鹏 李伟 吕家纲 聂语葳 仲莉 刘素平 马骁宇

物理学报2023，Vol.72Issue(11)：182-191,10.
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物理学报2023，Vol.72Issue(11)：182-191,10.DOI:10.7498/aps.72.20230297

940 nm垂直腔面发射激光器单管器件的设计与制备

Design and fabrication of 940 nm vertical cavity surface emitting laser single-emitter device

潘智鹏 1李伟 2吕家纲 1聂语葳 1仲莉 2刘素平 2马骁宇2

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所,光电子器件国家工程研究中心,北京 100083||中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京 100049
  • 2. 中国科学院半导体研究所,光电子器件国家工程研究中心,北京 100083
  • 折叠

摘要

关键词

垂直腔面发射激光器/光子晶体垂直腔面发射激光器/基横模/大功率

引用本文复制引用

潘智鹏,李伟,吕家纲,聂语葳,仲莉,刘素平,马骁宇..940 nm垂直腔面发射激光器单管器件的设计与制备[J].物理学报,2023,72(11):182-191,10.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:62174154)资助的课题. （批准号:62174154）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-3290

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