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AlGaN基深紫外LED的NiAu透明电极及其接触特性

王雪 李晋闽 刘乃鑫 王兵 郭亚楠 张晓娜 郭凯 李勇强 张童 闫建昌

发光学报2023，Vol.44Issue(5)：898-903,6.
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发光学报2023，Vol.44Issue(5)：898-903,6.DOI:10.37188/CJL.20220385

AlGaN基深紫外LED的NiAu透明电极及其接触特性

Ohmic Contact Characteristics of AlGaN-based Deep-ultraviolet Light-emitting-diodes with NiAu Transparent Electrode

王雪 1李晋闽 2刘乃鑫 2王兵 2郭亚楠 2张晓娜 1郭凯 1李勇强 1张童 1闫建昌2

作者信息

  • 1. 山西中科潞安紫外光电科技有限公司,山西 长治 046000
  • 2. 山西中科潞安紫外光电科技有限公司,山西 长治 046000||中国科学院半导体研究所 半导体照明技术研究开发中心,北京 100083
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摘要

关键词

UV-LED/AlGaN/NiAu/欧姆接触

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王雪,李晋闽,刘乃鑫,王兵,郭亚楠,张晓娜,郭凯,李勇强,张童,闫建昌..AlGaN基深紫外LED的NiAu透明电极及其接触特性[J].发光学报,2023,44(5):898-903,6.

基金项目

山西省重点研发计划(202102030201007) （202102030201007）

山西省关键核心技术和共性技术研发攻关(20201102013) （20201102013）

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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