发光学报Issue(S1)：P.1-5,5.
在6H-SiC衬底上用低压MOVPE法生长AlN和GaN的过程中用(AlN/GaN)多层缓冲层来控制残余应力(英文)
摘要
关键词
残余应力控制/AlN和GaN外延层/(AlN/GaN)多缓冲层/低压MOVPE分类
数理科学引用本文复制引用
Horie M,Ishihara Y,Takano T,Kawanishi H..在6H-SiC衬底上用低压MOVPE法生长AlN和GaN的过程中用(AlN/GaN)多层缓冲层来控制残余应力(英文)[J].发光学报,2001,(S1):P.1-5,5.基金项目
ProjectsupportedbyGrants InAid (No .1175 0 0 2 0andNo.116 5 0 35 4)fromtheMinistryofEducation （No .1175 0 0 2 0andNo.116 5 0 35 4）
Science （）
SportsandCulture （）
andHigh TecResearchCenterinPrivateUniversities .Thisworkwascarriedoutasapartofthe"ResearchforFuture"Program (JSPS RFTF97P0 0 1 （）
