机电工程技术2023，Vol.52Issue(5)：P.57-60,158,5.DOI:10.3969/j.issn.1009-9492.2023.05.011
坩埚表面辐射率对分子束源炉温度场的影响
摘要
关键词
分子束外延/源炉/表面发射率/温度场/仿真分析分类
通用工业技术引用本文复制引用
黄星星,吴进,祝经明,王凤双,侯少毅,卫红,李嘉锋,胡强..坩埚表面辐射率对分子束源炉温度场的影响[J].机电工程技术,2023,52(5):P.57-60,158,5.基金项目
广东省重点领域研发计划项目(2021B0101300001)。 （2021B0101300001）
