|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|舰船电子工程|一种基于光刻胶牺牲层的RF MEMS开关制备方法

一种基于光刻胶牺牲层的RF MEMS开关制备方法

高旭东 史泽民 吴倩楠 李孟委

舰船电子工程2023，Vol.43Issue(3)：209-213,5.
✕
舰船电子工程2023，Vol.43Issue(3)：209-213,5.DOI:10.3969/j.issn.1672-9730.2023.03.043

一种基于光刻胶牺牲层的RF MEMS开关制备方法

A Method for Preparing RF MEMS Switch Based on Photoresist Sacrificial Layer

高旭东 1史泽民 1吴倩楠 2李孟委1

作者信息

  • 1. 中北大学仪器与电子学院 太原 030051||中北大学前沿交叉科学研究院 太原 030051||中北大学微系统集成研究中心 太原 030051
  • 2. 中北大学前沿交叉科学研究院 太原 030051||中北大学微系统集成研究中心 太原 030051||中北大学理学院 太原 030051
  • 折叠

摘要

关键词

RF MEMS开关/上电极/牺牲层/干法释放

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

高旭东,史泽民,吴倩楠,李孟委..一种基于光刻胶牺牲层的RF MEMS开关制备方法[J].舰船电子工程,2023,43(3):209-213,5.

基金项目

2020年装备发展部型谱项目(编号:2006WW0011)资助. （编号:2006WW0011）

舰船电子工程

OACSTPCD

1672-9730

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文