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Te掺杂对二维InSe抗氧化性以及电子结构的影响

苗瑞霞谢妙春程开李田甜杨小峰王业飞张德栋

物理学报2023，Vol.72Issue(12)：83-92,10.

物理学报2023，Vol.72Issue(12)：83-92,10.DOI:10.7498/aps.72.20230004

Effect of Te doping on oxidation resistance and electronic structure of two-dimensional InSe

苗瑞霞 ¹谢妙春 ¹程开 ¹李田甜 ¹杨小峰 ¹王业飞 ¹张德栋¹

作者信息

InSe/抗氧化性/掺杂/电子结构

苗瑞霞,谢妙春,程开,李田甜,杨小峰,王业飞,张德栋..Te掺杂对二维InSe抗氧化性以及电子结构的影响[J].物理学报,2023,72(12):83-92,10.

国家自然科学基金(批准号:51302215,62105260,12004303)资助的课题. （批准号:51302215,62105260,12004303）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1000-3290

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