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空腔嵌入绝缘体上硅衬底制备技术

贾欣 刘强 母志强 周虹阳 俞文杰

物理学报2023，Vol.72Issue(12)：267-278,12.
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物理学报2023，Vol.72Issue(12)：267-278,12.DOI:10.7498/aps.72.20230198

空腔嵌入绝缘体上硅衬底制备技术

Fabrication technology of void embedded silicon-on-insulator substrate

贾欣 1刘强 1母志强 1周虹阳 1俞文杰1

作者信息

  • 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,集成电路材料全国重点实验室,上海 200050
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摘要

关键词

空腔嵌入绝缘体上硅/离子剥离/应力/有限元应力仿真

引用本文复制引用

贾欣,刘强,母志强,周虹阳,俞文杰..空腔嵌入绝缘体上硅衬底制备技术[J].物理学报,2023,72(12):267-278,12.

基金项目

国家重点研发计划(批准号:2022YFB4401700)和上海市超级博士后激励计划(批准号:2022677)资助的课题. （批准号:2022YFB4401700）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-3290

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