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利用InAs/GaAs数字合金超晶格改进InAs量子点有源区的结构设计

杜安天刘若涛曹春芳韩实现王海龙龚谦

物理学报2023，Vol.72Issue(12)：279-285,7.

物理学报2023，Vol.72Issue(12)：279-285,7.DOI:10.7498/aps.72.20230270

Improving structure design of active region of InAs quantum dots by using InAs/GaAs digital alloy superlattice

杜安天 ¹刘若涛 ²曹春芳 ³韩实现 ²王海龙 ⁴龚谦²

作者信息

1. 曲阜师范大学物理工程学院,山东省激光偏光与信息技术重点实验室,曲阜 273165||中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中科院太赫兹固态技术重点实验室,上海 200050
2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中科院太赫兹固态技术重点实验室,上海 200050||中国科学院大学材料科学与光电子工程中心,北京 100049
3. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中科院太赫兹固态技术重点实验室,上海 200050
4. 曲阜师范大学物理工程学院,山东省激光偏光与信息技术重点实验室,曲阜 273165
折叠

量子点/半导体激光器/分子束外延/数字合金超晶格

杜安天,刘若涛,曹春芳,韩实现,王海龙,龚谦..利用InAs/GaAs数字合金超晶格改进InAs量子点有源区的结构设计[J].物理学报,2023,72(12):279-285,7.

国家自然科学基金(批准号:61674096)资助的课题. （批准号:61674096）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1000-3290

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