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数值模拟顶部籽晶溶液生长法制备单晶碳化硅的研究进展

隋占仁徐凌波崔灿王蓉杨德仁皮孝东韩学峰

人工晶体学报2023，Vol.52Issue(6)：1067-1085,19.

数值模拟顶部籽晶溶液生长法制备单晶碳化硅的研究进展

Research Progress on Numerical Simulation of Single Crystal Silicon Carbide Prepared by Top-Seeded Solution Growth Method

隋占仁 ¹徐凌波 ¹崔灿 ²王蓉 ³杨德仁 ³皮孝东 ³韩学峰³

作者信息

1. 浙江理工大学物理系,浙江省光场调控技术重点实验室,杭州 310018||浙江大学杭州国际科创中心,浙江省宽禁带半导体重点实验室,杭州 311200
2. 浙江理工大学物理系,浙江省光场调控技术重点实验室,杭州 310018
3. 浙江大学杭州国际科创中心,浙江省宽禁带半导体重点实验室,杭州 311200||浙江大学材料科学与工程学院,硅材料国家重点实验室,杭州 310027
折叠

摘要

关键词

宽禁带半导体/碳化硅/顶部籽晶溶液生长法/数值模拟/有限元/晶体生长/机器学习

Key words

wide bandgap semiconductor/silicon carbide/top-seeded solution growth/numerical simulation/finite element/crystal growth/machine learning

分类

数理科学

引用本文复制引用

隋占仁,徐凌波,崔灿,王蓉,杨德仁,皮孝东,韩学峰..数值模拟顶部籽晶溶液生长法制备单晶碳化硅的研究进展[J].人工晶体学报,2023,52(6):1067-1085,19.

基金项目

国家自然科学基金面上项目(61721005) （61721005）

国家自然科学基金青年科学基金(52202189) （52202189）

浙江省"尖兵""领雁"研发攻关计划(2022C01021,2023C01010) （2022C01021,2023C01010）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

ISSN：1000-985X

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