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基于金属催化等离子体刻蚀的MPCVD单晶金刚石生长缺陷调控

李一村 文东岳 郝晓斌 代兵 刘本建 朱嘉琦 韩杰才

硅酸盐学报2023,Vol.51Issue(6):1374-1380,7.
硅酸盐学报2023,Vol.51Issue(6):1374-1380,7.DOI:10.14062/j.issn.0454-5648.20221029

基于金属催化等离子体刻蚀的MPCVD单晶金刚石生长缺陷调控

Control of Defects in MPCVD Single Crystal Diamond Growth Based on Metal Catalyzed Plasma Etching

李一村 1文东岳 1郝晓斌 1代兵 1刘本建 1朱嘉琦 1韩杰才1

作者信息

  • 1. 哈尔滨工业大学,特种环境复合材料技术国家级重点实验室,哈尔滨 150080
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摘要

关键词

微波等离子体化学气相沉积/单晶金刚石/横向外延/缺陷调控

Key words

microwave plasma chemical vapor deposition/single crystal diamond/lateral epitaxy/defect control

分类

化学化工

引用本文复制引用

李一村,文东岳,郝晓斌,代兵,刘本建,朱嘉琦,韩杰才..基于金属催化等离子体刻蚀的MPCVD单晶金刚石生长缺陷调控[J].硅酸盐学报,2023,51(6):1374-1380,7.

基金项目

国家自然科学基金(52072087) (52072087)

黑龙江省自然科学基金(YQ2020E008)资助. (YQ2020E008)

硅酸盐学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0454-5648

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