硅酸盐学报2023，Vol.51Issue(6)：1439-1449,11.DOI:10.14062/j.issn.0454-5648.20220704
物理气相传输法SiC衬底上生长AlN单晶的研究进展
Research Progress on AlN Single Crystal Growth on SiC Substrate by Physical Vapor Transport Method
摘要
关键词
氮化铝单晶/碳化硅衬底/物理气相传输法/异质外延Key words
aluminum nitride single crystal/silicon carbide substrate/physical phase transport/heteroepitaxy引用本文复制引用
朱亚军,王国栋,俞瑞仙,曹文豪,王守志,胡小波,徐现刚,张雷..物理气相传输法SiC衬底上生长AlN单晶的研究进展[J].硅酸盐学报,2023,51(6):1439-1449,11.基金项目
山东省自然科学基金(ZR2022QF044) （ZR2022QF044）
国家自然科学基金(51872164,52202265). （51872164,52202265）
