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GaAs晶体在不同应变下生长过程的分子动力学模拟

袁用开 陈茜 高廷红 梁永超 谢泉 田泽安 郑权 陆飞

物理学报2023,Vol.72Issue(13):169-177,9.
物理学报2023,Vol.72Issue(13):169-177,9.DOI:10.7498/aps.72.20221860

GaAs晶体在不同应变下生长过程的分子动力学模拟

Molecular dynamics simulations of GaAs crystal growth under different strains

袁用开 1陈茜 1高廷红 1梁永超 1谢泉 1田泽安 2郑权 1陆飞1

作者信息

  • 1. 贵州大学大数据与信息工程学院, 新型光电子材料与技术研究所, 省部共建公共大数据国家重点实验室, 贵阳 550025
  • 2. 贵州大学大数据与信息工程学院, 新型光电子材料与技术研究所, 省部共建公共大数据国家重点实验室, 贵阳 550025||湖南大学信息科学与工程学院, 长沙 410082
  • 折叠

摘要

关键词

分子动力学模拟/GaAs/诱导结晶/应变

Key words

molecular dynamics/GaAs/induced crystallization/strain

引用本文复制引用

袁用开,陈茜,高廷红,梁永超,谢泉,田泽安,郑权,陆飞..GaAs晶体在不同应变下生长过程的分子动力学模拟[J].物理学报,2023,72(13):169-177,9.

基金项目

贵州省基础研究计划(自然科学类)(批准号:ZK[2022]042,ZK[2021]051,[2017]5788)、国家自然科学基金(批准号:51761004,51661005,11964005)、贵州大学智能制造产教融合创新平台及研究生联合培养基地(批准号:2020-520000-83-01-324061)和贵州大学培育项目(批准号:[2020]33)资助的课题.Project supported by the Basic Research Program(Natural Science)of Guizhou Province,China(Grant Nos.ZK[2022]042,ZK[2021]051,[2017]5788),the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.51761004,51661005,11964005),the Industry and Education Combination Innovation Platform of Intelligent Manufacturing and Graduate Joint Training Base at Guizhou University,China(Grant No.2020-520000-83-01-324061),and the Fostering Project of Guizhou University,China(Grant No.[2020]33). (自然科学类)

物理学报

OACSTPCD

1000-3290

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