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AlGaN合金的原子层沉积及其在量子点敏化太阳能电池的应用

刘恒 彭铭曾 郑新和 李晔 杜梦超 仇鹏 何荧峰 宋祎萌 卫会云 朱晓丽 田丰

物理学报2023,Vol.72Issue(13):212-220,9.
物理学报2023,Vol.72Issue(13):212-220,9.DOI:10.7498/aps.72.20230113

AlGaN合金的原子层沉积及其在量子点敏化太阳能电池的应用

Atomic layer deposition of AlGaN alloy and its application in quantum dot sensitized solar cells

刘恒 1彭铭曾 1郑新和 1李晔 1杜梦超 1仇鹏 1何荧峰 1宋祎萌 2卫会云 1朱晓丽 1田丰1

作者信息

  • 1. 北京科技大学数理学院, 磁光电复合材料与界面科学北京市重点实验室, 北京 100083
  • 2. 惠州学院电子信息与电气工程学院, 惠州 516007
  • 折叠

摘要

关键词

AlGaN/等离子体增强型原子层沉积/CdSe量子点/太阳能电池

Key words

AlGaN/plasma enhanced atomic layer deposition/CdSe quantum dots/solar cell

引用本文复制引用

刘恒,彭铭曾,郑新和,李晔,杜梦超,仇鹏,何荧峰,宋祎萌,卫会云,朱晓丽,田丰..AlGaN合金的原子层沉积及其在量子点敏化太阳能电池的应用[J].物理学报,2023,72(13):212-220,9.

基金项目

国家重点研发计划(批准号:2018YFA0703700)、国家自然科学基金青年科学基金(批准号:52002021)和中央高校基本科研业务费(批准号:FRF-IDRY-20-037)资助的课题.Project supported by the National Key Research and Development Program of China(Grant No.2018YFA0703700),the National Natural Science Foundation of China(Grant No.52002021),and the Fundamental Research Funds for the Central Universities of China(Grant No.FRF-IDRY-20-037). (批准号:2018YFA0703700)

物理学报

OACSTPCD

1000-3290

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